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Vishay HVCC系列產品榮獲2019 AspenCore全球電子成就獎

徑向引線高壓單層瓷片電容獲年度高性能元器件獎
2019-12-03
來源:VISHAY
關鍵詞: Vishay HVCC 電子成就獎

  賓夕法尼亞、MALVERN — 2019年12月3日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,公司的HVCC系列徑向引線高壓單層瓷片電容器榮獲2019 AspenCore全球電子成就獎年度高性能元器件獎。該器件無需并聯兩個1 nF電容即可達到2 nF電容值,緊湊的外形尺寸顯著節省PCB空間。

  由全球電子技術領域最大媒體集團AspenCore頒發的全球電子成就獎(WEAA),旨在表彰對推動全球電子行業創新發展做出杰出貢獻的企業和個人。獲獎產品由全球各地的工程師在線投票選出。今年,Vishay的HVCC系列產品在高性能元器件評比中獲得最多選票。

  HVCC系列電容器容量范圍100 pF至2000 pF,標準容差為±20%。對于設計人員而言,器件高容量可節省空間,降低組裝成本,并提高牙科和行李掃描儀、各種醫療和工業X射線應用以及脈沖激光器的高壓發生器可靠性。HVCC系列電容器提供合格的高性能器件直接替代幾乎所有產品編號以DHR開頭的Murata電容,該公司此前已正式發布這種產品的停產通知。

  小型HVCC系列電容器可在125 %額定電壓和+105 °C溫度條件下保證1000小時負載壽命,耗散系數小于1.5 %。電容器電壓范圍10 kVDC至15 kVDC,工作溫度-30 °C至105 °C。電容器還提供20 kVDC額定電壓,容差± 10 %器件,并可按要求定制引線樣式。

  電容器亞洲區業務營銷高級總監Boonhooi Tan表示:“Vishay永遠不會止步創新,我們為通過努力獲得著名AspenCore全球電子成就獎感到自豪。這是一種榮譽,激勵我們邁向新的高度,開發新技術和新產品,讓世界更美好。”

  11月7日,在中國深圳召開的全球CEO峰會上舉行頒獎典禮表彰獲獎者,Vishay華南地區分銷經理Alan Zhang,研發和工藝進程高級經理Kong Hau代表Vishay接受頒獎。

  完整獲獎者名單,請訪問:https://www.eet-china.com/news/201911071744.html?from=timeline&isappinstalled=0。


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