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氮化鎵在射頻領域的應用優勢

     自從20年前第一批商用產品問世,GaN在射頻功率應用領域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手,并且,正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時出現,但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導了RF GaN市場,已滲透到4G LTE無線基礎設施市場,預計將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構中。

射頻氮化鎵市場前景分析

     在電信基礎設施和國防兩大主要市場的推動下,預計到2024年RF GaN整體市場規模將增長至20億美元。過去十年,全球對電信基礎設施的投資一直很穩定,并且,中國政府的投入近年持續增長。在這個穩定的市場中,更高的頻率趨勢,為RF GaN在5G網絡頻率低于6GHz(sub-6Ghz)的功率放大器(PA)中找到了用武之地。

氮化鎵專利分布

      Knowmade檢索并分析了全球公開的1700多個專利家族,超過3750項專利。涉及RF GaN外延片、RF半導體器件、集成電路、工藝方法和封裝,包括所有細分領域,如RF功率放大器、RF開關和RF濾波器,以及從6GHz到大于20GHz毫米波RF器件。
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